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公示公司图3CdSe@CdS量子点的HRTEM图像和SAED图像a-c)CdSe@3CdSQDs。第电d)单个粒子CdSe@9CdSQD的晶格间距变化。

在ZB结构中，司和售电晶格面沿[111]方向遵循ABCABC堆垛，而在WZ结构中，晶格面沿[0001]方向遵循ABABAB堆垛。图8不同壳层厚度的CdSe@CdS量子点(10̄10)和(0002)面平均间距变化趋势【小结】综上所述，批售研究者通过热注射和SILAR方法合成了不同壳层厚度的CdSe@CdS核壳量子点。CdX(X=Se,S,Te)组成的晶体可以形成两种不同的结构，跨省即立方型(Z)B和六方纤锌矿(WZ)结构。

河南文献链接：AtomicIdentificationofInterfacesinIndividualCore@shellQuantumDots,AdvancedScience,2021,doi：10.1002/advs.202102784.本文由金也供稿。例如，公示公司Chen等人的报道了使用辛硫醇和油酸镉作为CdS外壳生长的前驱体，制备了具有窄发射线宽和抑制闪烁的高质量CdSe@CdS量子点。

在核心量子点表面涂覆壳层是一种典型的表面缺陷钝化方法，第电可以减少表面对量子点光学性能的影响。

这种结构差异是微妙的，司和售电因此很难合成结晶度完美的纳米晶体。结果表明，批售在0.5mAcm-2下，实现了高度稳定的锌电镀/剥离(在0.5mAcm-2下超过3000h)。

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